СТАТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРА

Краткое содержание лекции

Статическим называется режим, при котором в схеме отсутствуют источник сигнала и нагрузка, а присутствуют только источники питания.

Входная характеристика - зависимость входно­го тока от входного напряжения при постоянном выходном напряжении

Выходная характеристика - зависимость выходного тока от выходного напряжения при постоянном входном токе

СХЕМА с ОБ (рис. 1)

Входная характеристика

Выходная характеристика

- неуправляемый обратный ток КП, измеряемый при Iэ = 0 (при XX на входе)

Полный ток:

Рис.1

СХЕМА с ОЭ (рис. 2)

Входная характеристика

Выходная характеристика

- сквозной ток эмиттера, измеряемый при Iб =0 (при XX на входе).

– справочные параметры транзистора.

Рис.2

ЭКВИВАЛЕНТНЫЕ СХЕМЫ, СИСТЕМЫ ПАРАМЕТРОВ

ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЕ ПАРАМЕТРЫ - параметры транзис­тора при малом входном сигнале.

Эквивалентная схема транзистора с ОБ на НЧ (рис. 3). Физические параметры, входящие в эквивалентную схему, непосредственно измерить нельзя. Поэтому транзистор представляют в виде четырехполюсника (рис. 4), который описывается системой двух уравнений.

Рис. 3 Рис. 4

Наибольшее практическое применение нашли h -параметры, при которых - неза­висимые переменные; - зависимые переменные.

Контрольные вопросы

2.1.Входные статические характеристики транзистора в схеме с общей базой, их особенности.

2.2. Входные статические характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером, их особенности.

2.3. Выходные статические характеристики транзистора в схеме с общей базой, их особенности.

2.4. Выходные статические характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером, их особенности.

2.5. Т-образная эквивалентная схема биполярного транзистора. Физические параметры.

2.6. Представление транзистора в виде четырехполюсника. Система h-параметров, их физический смысл.

Задание на СРС

3.1. Схемы рис. 4.5 [ОЛ6.2] зарисовать.

Задание на СРСП

4.1. Письменно пояснить по схемам рис. 4.5 методику снятия статических характеристик транзистора.

Глоссарий

ЛЕКЦИЯ №8

ЧАСТОТНЫЕ СВОЙСТВА ТРАНЗИСТОРА

Краткое содержание лекции

Две причины снижения усилительных свойств транзисторов (рис. 48,50):

1 - влияние емкости коллекторного перехода;

2 - инерционность движения НЗ через базу.

Первая причина приводит к сдвигу по фазе между I_К и Iэ и возрастанию I_б(рис. 49):

Следовательно, первый фактор существенен для схемы ОЭ. Вторая причина снижает коэффициент усиления в схеме ОБ и ОЭ:

Рис.1 Рис.2

ЧАСТОТНЫЕ ПАРАМЕТРЫ

Предельная частота коэффициента передачи тока -частота, на которой модуль коэффициента переда­чи тока падает на 3 дБ по сравнению с его низко­частотным значением:

- предельная частота в схеме ОЭ;

- предельная частота в схеме ОБ, т.е.

Граничная частота - частота, при которой становится равным единице.

Максимальная частота генерации , – на которой коэффициент усиления по мощности стано­вится равным единице.

Рис. 3 Рис. 4

Хорошими частотными свойствами обладают дрейфовые транзисторы, в которых электрическое поле, ускоряющее движение неосновных носителей в базе, создает неравномерную концентрацию примесей в ней и не зависит от внешних напряжений.