Главная Обратная связь

Дисциплины:

Архитектура (936)
Биология (6393)
География (744)
История (25)
Компьютеры (1497)
Кулинария (2184)
Культура (3938)
Литература (5778)
Математика (5918)
Медицина (9278)
Механика (2776)
Образование (13883)
Политика (26404)
Правоведение (321)
Психология (56518)
Религия (1833)
Социология (23400)
Спорт (2350)
Строительство (17942)
Технология (5741)
Транспорт (14634)
Физика (1043)
Философия (440)
Финансы (17336)
Химия (4931)
Экология (6055)
Экономика (9200)
Электроника (7621)


 

 

 

 



Усилитель модулированных колебаний



 

В многокаскадном передатчике все каскады после модулируемого работают в режиме усиления модулированных колебаний. При этом на вход транзистора подается модулированное напряжение возбуждения

,

где mвх – коэффициент модуляции на входе, а напряжение смещения Eб остается постоянным.

Режим усиления модулированных колебаний можно рассматривать как один из методов модуляции, где модулирующим фактором является напряжение возбуждения. При изменении напряжения возбуждения меняется амплитуда и угол отсечки импульса коллекторного тока также, как при изменении напряжения смещения, что делает этот вид модуляции похожим на модуляцию смещением Энергетические соотношения в режиме усиления модулированных колебаний такие же как при модуляции смещения, поскольку активный элемент работает в недонапряженном режиме, поэтому транзистор выбирается с номинальной мощностью не меньшей мощности в максимальном режиме Р1mах.

Особо нужно поговорить о выборе смещения при усилении модулированных колебаний.

При угол отсечки коллекторного тока и не меняется при изменении амплитуды возбуждения. СМХ есть и представляет собой прямую, проходящую через начало координат.

В этом случае происходит линейное усиление модулированных колебаний, причем глубина модуляции на выходе mвых такая же, как на входе mвх.

При угол отсечки коллекторного тока и изменяется в процессе модуляции от до .

СМХ в этом случае может быть представлена в первом приближении прямой, сдвинутой относительно начала координат вправо. В этом случае глубина модуляции на выходе получается больше чем на входе, т.е. такой режим позволяет осуществить углубление модуляции. Если глубина модуляции на входе mвх, а на выходе требуется , то угол отсечки для максимального режима можно вычислить по формуле

,

После выбора транзистора и определения угла отсечки рассчитывается максимальный режим, причем для повышения к. п.д. максимальный режим выбирается критическим. В результате расчета определяются все необходимые величины, в том числе Еб, , , , которые нужны для построения СМХ. Для построения СМХ также пользуемся известной формулой , но процедура расчета несколько иная, чем при модуляции смещением.

Задаем ряд значений от до (порядка десяти точек) и для каждого значения определяем высокочастотный угол отсечки . По графику (рисунок 6.4) находим соответствующие низкочастотные углы отсечки, по ним определяем амплитуду напряжения возбуждения и, наконец, соответствующие токи. Расчет удобнее вести в форме табл. 6.4.

Таблица 6.4

Порядок определения

Примечание
                       

 

По данным табл. 6.4 строится СМХ и на ней отображаются три режима модуляции – максимальный, несущий, минимальный. По этим трем точкам можно определить величину искажений, возникающих при усилении модулированных колебаний аналогично тому, как это делалось для модуляции смещением.

Следует отметить, что проверка на допустимые токи и напряжения проводится для максимального режима, а на допустимую мощность рассеяния транзистора в несущем режиме.

 



Просмотров 2168

Эта страница нарушает авторские права




allrefrs.su - 2025 год. Все права принадлежат их авторам!