![]()
Главная Обратная связь Дисциплины:
Архитектура (936) ![]()
|
Проектирование модуляторов при ЧМ
Формирование ЧМ колебаний в передатчиках осуществляется в настоящее время чаще прямым методом. В качестве управляющих элементов широко используют варикапы (полупроводниковые диоды, барьерная емкость закрытого р–n перехода которых зависит от приложенного напряжения) и вариконды (конденсаторы с сегнето–электриком). Вопросы построения таких модуляторов рассматриваются в [5, 20]. Варикапы способны под действием напряжения сигнала
где В последнем выражении учтено, что контактная разность потенциалов запирает переход. Внешнее запирающее напряжение увеличивает разность потенциалов на переходе и уменьшает его емкость. Поэтому направление отсчета для напряжения Для кремниевого перехода Основные параметры варикапов – максимальная и минимальная емкости
Таблица 6.5 Параметры варикапов
Варикапы являются элементами колебательной системы автогенератора. Они вносят определенный вклад в температурную нестабильность частоты автогенератора и паразитную амплитудную модуляцию. Эти свойства варикапов характеризуются ТКЕ и добротностью Применение варикапов позволяет осуществить ЧМ с допустимым уровнем искажений сигналов при максимальной относительной девиации Напряжение на варикапе является суммой напряжения смещения, модулирующего и высокочастотного
На практике существуют различные варианты соединения варикапа с контуром автогенератора. На рисунке 6.23 приведена схема частотно-модулированного автогенератора, применяемая в диапазонных генераторах. Рисунок 6.23
В данном примере автогенератор выполнен по схеме емкостной трехточки. Транзистор включен по схеме с общей базой. Положительная обратная связь создается емкостным делителем Cl, C2. Напряжение на вход буферного каскада или умножителя снимается с Rl. Резонансная частота контура автогенератора определяется в основном L1 и Ск. Управляющий варикап подключен параллельно емкости делителя с помощью конденсатора связи С4. Эквивалентная схема колебательного контура приведена ниже на рисунке 6.24. Рисунок 6.24
Элементы Сэб, Скб и Скэ отражают межэлектродные емкости транзистора VT1. Коэффициент управления емкостью контура
где Емкость делителя с подключенным варикапом
Емкость контура в режиме молчания (несущей)
где С0 – паразитная емкость контура. Для ослабления влияния на частоту автогенератора емкость делителя без варикапа Другой вариант включения варикапа приведен на рисунке 6.25. Такая схема часто применяется в ЧМ передатчиках звукового сопровождения телевизионных программ. Рисунок 6.25
Варикап в данной схеме включен параллельно емкости контура. Емкость контура в режиме молчания
Величины C0 и CD определяются аналогично схеме, приведенной на рисунке 6.23. Емкость В данной схеме можно получить существенно большую связь варикапа с контуром и большее значение относительной девиации Эквивалентная схема контура с прямым включением варикапа приведена на рисунке 6.26. Рисунок 6.26
![]() |