Главная Обратная связь
Дисциплины:
Архитектура (936)
Биология (6393)
География (744)
История (25)
Компьютеры (1497)
Кулинария (2184)
Культура (3938)
Литература (5778)
Математика (5918)
Медицина (9278)
Механика (2776)
Образование (13883)
Политика (26404)
Правоведение (321)
Психология (56518)
Религия (1833)
Социология (23400)
Спорт (2350)
Строительство (17942)
Технология (5741)
Транспорт (14634)
Физика (1043)
Философия (440)
Финансы (17336)
Химия (4931)
Экология (6055)
Экономика (9200)
Электроника (7621)
Завдання до лабораторної роботи
|
|
1. Вивчити у підручнику [1] ч. 5 та таблиці 1-7 даного посібника.
2. Вивчити принципову електричну схему ПНЧ (рис. 1).
На основі цього:
- скласти перелік навісних компонентів (Н) і тонкоплівкових елементів (ТП);
- вивчити параметри транзистора, який використовується в схемі (табл.. 1);
Рис. 1.Принципова електрична схема ГІС ПНЧ.
- вибрати один із варіантів параметрів елементів і режиму роботи схеми по таблиці 2;
Таблиця 1
Параметри деяких активних елементів, які застосовуються в ГІС
| Тип | Габарити | Коротка характеристика | Інтервал робочих темпера-тур | Припустима відносна вологість | Стійкість до впливів | |
| вібрацій-них | стаціо-нарних | |||||
| p-n-p-транзистор 2Т319 (А,Б,В) ЖК3.365.144ТУ | Кристал (1,1х1,1х0,8)мм без корпусу з каплею захисного покриття | Застосовується у пристроях дис-кретного типу з загальною гер-метизацією Iк.н. £ 22 мкА; Uб.н. = 0,78 В; Uк.н =0,35 В;. b ³ 15(А); b ³ 25(Б); b ³ 40(В) | Від –60 до +80 0С | 80% при темпера-турі (+20±10) 0С протягом 24 год. при монтажі (50±10) % при температурі (20±15) 0С | 15g (5-2000)Гц | 15g |
| p-n-p-транзистор ГТ109 В ЖК3.365.138ТУ | У металічному корпусі d = 3,4 мм; h = 2,5 мм | b = 60-130; Fш £ 12 | Від –20 до +55 0С | (95-98) % при температурі +40 0С | 3g (10-70)кГц | 100g |
| p-n-p-транзистор ГТ310 (Б,В) ЖК3.365.139ТУ | У металічному корпусі d = 3,4 мм; h = 2,5 мм | b = 60, Ск = 4 пФ; Fш £ 3 дб (Б); b = 20, Ск = 4 пФ; Fш £ 4 дб (В) | Від –20 до +55 0С | (95-98) % при температурі +40 0С | - | - |
| Діод Б 29 Діод Б 30 | Без корпусу кристал (4х0,9х1,2) мм (1,4х0,9х0,6) мм | Застосовується в гібрид-них схемах в герметизо-ваному корпусі Uпр = 0,4 В; Іпр = 10 мкА; Uпр = 0,75 В; Іпр = 1 мкА t (час відновлення Rобр) = 25 нс СД = 4 пФ при 0,1 В | Від –60 до +85 0С | 80% при темпера-турі (+20±10) 0С протягом 24 год. при монтажі (50±10) % при тем-пературі (20±15) 0С | 15g (10-2000)Гц | 50g |
| p-n-p-транзистор КТ317 (А - І) | (1,1х1,1х0,8) мм без корпусу | - | - | - | - |
Таблиця 2
Параметри принципової схеми ПНЧ
| №№ п/п | Uпит, В | Uвх, мВ | Iе, мА | Транзис-тор | C1, мкФ | C2, мкФ | R1, кОм | R2, кОм | R3, кОм |
| 1,5 | 0,05 | КТ 317 Г | 2,0 | 10,0 | 0,7±0,1 | 0,6±0,1 | 2,5±0,5 | ||
| 3,0 | 0,1 | КТ 317 Г | 5,0 | 10,0 | 1,8±0,1 | 0,6±0,1 | 1,8±0,2 | ||
| 6,0 | 2,5 | КТ 317 Г | 10,0 | 10,0 | 1,8±0,1 | 0,35±0,1 | 0,6±0,1 | ||
| Виконання в ГІС | Н | К зовн | К зовн | ТП | ТП | ТП |
- визначити максимальну потужність, що розсіюється резисторами ПНЧ.
3. Виконати розрахунок тонкоплівкових резисторів і площі підкладки ГІС (табл.. 1-4)[1, ч. 5].
4. Розробити топологію ГІС ПНЧ, виконавши ескізно необхідні креслення.
5. Перевірити результати виконаної роботи з точки зору технологічності проекту ГІС і можливості її виготовлення за одним із варіантів технології.
Таблиця 3
| rS, Ом/кв | ||||||
| РД, Вт/см2 | 0,1 | 0,08 | 0,075 | 0,065 | 0,06 | 0,05 |
Таблиця 4
Основні характеристики резистивних плівок
| Матеріал | rS, Ом/кв | ТКС, 1/град | РД, Вт/см2 | dRдр, % | dRхр, % | КРТ, 1/град |
| Тантал | 25-2000 | (+20 ¸ - 40).105 | 0,5-1,0 | 5.106 | ||
| Нітрид танталу | 10-300 | (+50 ¸ -100).105 | - | 0,05-0,1 | ||
| Хром | 25-300 | ± 20-500 | 2-4 | ± 0,3 | ± 0,2 | |
| Ніхром | 3-600 | ± 20.105 | 0,5-0,8 | 0,1 | 13,5.106 | |
| Кермети | 100-20000 | (+25 ¸ - 50).105 | 3-4 | ± (0,5-2) | ± 0,3 | 107 |
| Оксид олова | 30-5000 | (+30 ¸ - 70).106 | 2-4 | 4,6.106 |
Примітка. Символами dRдр і dRхр позначені зміни опору резисторів відповідно при навантажені і зберіганні.
Таблиця 5
Характеристики матеріалів підкладки
| Матеріал, марка, ГОСТ, ТУ | Температурний коефіцієнт лі-нійного розши-рення в інтерва-лі температур (20-300)0С 1/град | Діелектрична проникність при f = 106 Гц, Т = 20 0С | Тангенс кута діелектричних втрат при f = 108 Гц, Т = 20 0С | Теплопровід-ність, Вт/м.К.10-2 | Клас шорскості поверхні | Електрична міцність, кВ/мм |
| Ситал СТ-50-1, НТХО.027.029 | (48 - 50).10-7 | 8,5 | 20.10-4 | 13 - 14 | ³ 40 | |
| Скло С41-1, НПО.027.600 | (39 - 43).10-7 | 7,5 | 20.10-4 | - | ³ 40 | |
| Полікор, НТХО.027.027 ТУ | (70 - 75).10-7 | 10,5 | 1.10-4 | 25,2 - 37,8 | - | |
| Кераміка глазу-рована, ЩИЩ.781.001 ТУ | (73 - 78).10-7 | 13 - 16 | (17 - 19).10-4 | 10,5 – 14,7 | ³ 50 |
Таблиця 6
Рекомендовані типорозміри підкладок ГІС
| Ширина, мм | ||||||||||
| Довжина, мм | ||||||||||
| Площа, мм2 |
Контрольні питання
1. Сформулюйте основні задачі топологічного проектування ГІС.
2. Перелічіть основні вихідні дані, необхідні для розрахунку топології елементів ГІС.
3. Перелічіть основні результати розрахунку елементів, необхідні для розробки топології ГІС.
4. Покажіть зв’язок кінцевих результатів топологічного проекту ГІС з властивостями обраних на його початку матеріалів (елементи, підкладка і ін.).
5. Покажіть зв’язок результатів топологічного проектування з точністю наступного виготовлення і властивостями елементів ГІС.
|
Просмотров 438 |
|
|
